Производство 3D NAND-памяти
Производство 3D NAND-памяти в новостной повестке, календарь упоминаний и aналитика в реальном времени.
Календарь упоминаний:
SK hynix запустила массовое производство 3D NAND-памяти с 176 слоями благодаря новой технологии CTI
Производство 3D NAND-памяти достигло нового уровня плотности и надежности после внедрения технологии CTI, позволяющей изолировать ячейки без расширения вертикальных каналов. Это решение устраняет электрические помехи между соседними элементами, что было критическим барьером при достижении высоты стека в 176 слоев. Внедрение метода напыления барьерного слоя вместо вытравливания обеспечило стабильность характеристик на всех уровнях структуры, открывая путь к созданию более емких накопителей для систем искусственного интеллекта.
Событие: В 2025 году на конференции IEEE IEDM были представлены результаты успешного перехода 3D NAND-памяти с 176 слоями к массовому производству с использованием технологии CTI.
Фактор: Замена процесса вытравливания слоев на напыление оксидного барьера позволила сохранить высокую плотность размещения ячеек, не жертвуя их электрической изоляцией.
Эффект: Производство 3D NAND-памяти получило возможность снизить электрические помехи между ячейками более чем на 30% и улучшить сохранность заряда на 45% при одновременном уменьшении размера ячейки на 10%.
Тренд: Дальнейший рост емкости накопителей будет зависеть от совершенствования микроуровневой изоляции, а не только от увеличения количества слоев в стеке.
В нашей базе собрано 1 событие по теме «Производство 3D NAND-памяти». Мы показываем все из них.