Масштабирование накопителей для ИИ

Масштабирование накопителей для ИИ устранило физические ограничения плотности 3D NAND с технологией CTI

Масштабирование накопителей для ИИ достигло нового уровня благодаря внедрению технологии CTI, позволившей запустить массовое производство 3D NAND-памяти с 176 слоями. Новый метод изоляции ячеек, основанный на напылении барьерного слоя оксида вместо вытравливания, позволил сохранить высокую плотность размещения элементов, преодолев проблему электрических помех, возникающую при увеличении высоты стека.

Событие: Результаты исследования технологии CTI для 176-слойной памяти были опубликованы на конференции IEEE IEDM в 2025 году.

Фактор: Применение напыления изоляционного слоя вместо традиционного вытравливания позволило избежать расширения вертикальных каналов и сохранить высокую плотность интеграции ячеек.

Эффект: Электрические помехи между соседними ячейками снизились более чем на 30%, а способность удерживать заряд улучшилась на 45%, что критично для надежности систем ИИ.

Инсайт: Дальнейший рост емкости памяти будет зависеть не столько от увеличения высоты стека, сколько от совершенствования микроуровневой изоляции ячеек.

Связь: Увеличение плотности памяти без усложнения производственного процесса напрямую снижает себестоимость одного гигабайта хранилища для центров обработки данных.

Подробнее →