Sangwan Jin
Sangwan Jin в новостной повестке, календарь упоминаний и aналитика в реальном времени.
Календарь упоминаний:
Sangwan Jin представил технологию CTI для массового производства 176-слойной памяти
Sangwan Jin, технический лидер направления разработки материалов в SK hynix, выступил автором исследования, описывающего новый метод изоляции ячеек памяти. Его подход позволил запустить в промышленное производство 3D NAND с 176 слоями, решив проблему электрических помех без потери плотности интеграции. Технология была официально представлена на конференции IEEE IEDM в 2025 году и демонстрирует значительное улучшение ключевых параметров надежности и емкости накопителей.
Событие: Результаты исследования Sangwan Jin были опубликованы на конференции IEEE IEDM в 2025 году.
Исследование: Sangwan Jin разработал метод напыления барьерного слоя оксида, который снизил электрические помехи между ячейками более чем на 30%.
Эффект: Благодаря решению Sangwan Jin площадь отдельной ячейки памяти сократилась на 10%, что позволило увеличить общую плотность чипа.
Эффект: Методика Sangwan Jin улучшила способность ячеек удерживать заряд на 45%, повысив долговечность накопителей для систем ИИ.
В нашей базе собрано 1 событие по теме «Sangwan Jin». Мы показываем все из них.