HBM6

Прорыв в пропускной способности и ёмкости памяти HBM6

HBM6 представляет собой следующий этап развития высокопроизводительной памяти, предлагающий удвоение пропускной способности до 8 ТБ/с и увеличение ёмкости отдельного чипа до 48 Гбит. Новый стандарт поддерживает стеки памяти объёмом от 96 до 120 ГБ и включает 16- или 20-уровневые стеки, что делает его первым стандартом с такой степенью масштабируемости. Для повышения эффективности используется метод Bump-less Cu-Cu Direct Bonding, а также внедряются интерпозиторы и встроенные коммутаторы. HBM6 станет ключевым элементом архитектур следующих поколений ИИ-ускорителей. Подробнее →