Ферроэлектрические транзисторы
Ферроэлектрические транзисторы в новостной повестке, календарь упоминаний и aналитика в реальном времени.
Календарь упоминаний:
2025
28 ноября
Снижение энергопотребления памяти на 96% благодаря ферроэлектрическим транзисторам
Ферроэлектрические транзисторы лежат в основе новой технологии NAND-памяти, разработанной Samsung, которая снижает энергопотребление на 96%. Они позволяют блокировать токи ниже порогового значения, уменьшая утечку и повышая энергоэффективность. Эта разработка основана на изучении оксидных полупроводников, которые изначально не подходили для высокопроизводительных чипов из-за высокого порогового напряжения. Результаты исследования, опубликованные в журнале Nature, демонстрируют рекордные показатели эффективности.
Ферроэлектрические транзисторы имеет 1 запись событий в нашей базе.